随着国内智能电视普及，中兴助智电智能投影、投屏等大屏设备的兴起，智能盒子市场的需求持续低迷。

例如，通讯过量的空位可能成为载流子复合的中心，并抑制光催化。坚持技术图8|在金属相2DTMD和光收集半导体之间形成的电子桥。

CVD生长（图5d）是在衬底（例如，核心传统的SiO2/Si）上进行2DTMD的晶圆规模合成的经典自下而上策略。创新长评价光催化性能的参数指标。有趣的是，力数力当MoS2的厚度降低到单层时，它从间接带隙半导体变为直接带隙半导体，同时发光特性发生了戏剧性的跳跃（图3b）。

阳生使用难去除表面活性剂（长链油胺和油酸）。中兴助智电因为过度修改可能会导致相反的结果。

较大的离子，通讯如四烷基铵阳离子（R4N+），通讯可以避免这种相变，但增大的尺寸不可避免地导致插层势垒的增加，从而降低块状TMDs晶体的插层速率，从而降低剥离速率和单层的产率。

这是因为它们具有相同或熟悉的非金属元素（例如MoS2和CdS中的S元素），坚持技术这使得它们很容易通过外延生长构建具有良好界面的异质结构。由此，核心1D的ZEO-2前驱体拓扑转化为3D纯硅分子筛ZEO-3，针状形貌得到保持，而tCyMP煅烧残留的磷可以通过高温水洗或H2还原而除去。

ZEO-2的高分辨29Si固体核磁谱揭示了四种Q3和七种Q4的Si位点（图2D），创新长这与其晶体结构数据一致。为了获得更准确的晶胞和原子位置（包括ZEO-2中无序的tCyMP），力数力研究人员对ZEO-2和ZEO-3开展了同步辐射粉末X-射线衍射的结构精修。

阳生图3.ZEO-3的结构：（A）D4R单元。ZEO-3超大的孔径允许大分子的扩散和吸附，中兴助智电可用于挥发性有机物（VOCs）的处理。